论文部分内容阅读
通过对Ｐｏｌｙ－Ｓｉ ＣＭＰ工艺各参数的优化，采用Ｐａｄ ＵＲ－１００，Ｓｌｕｒｒｙ Ｎａｌｃｏ ２３６０，Ｔａｂｌｅ ｓｐｅｅｄ８０ＲＰＭ，Ｃａｒｒｉｅｒ Ｓｐｅｅｄ ５０ＲＰＭ，Ｄｏｗｎ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ２ｐｓｉ，Ｓｌｕｒｒｙ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ ２００ｍｌ／ｍｉｎ的条件获得了表面粗糙度３５Ａ的好结果。