【摘 要】
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采用溶剂热方法合成出不同Sn掺杂浓度的ITO纳米晶,并结合溶胶凝胶方法制备了ITO纳米晶镶嵌WO3电致变色薄膜。采用XRD、TEM、SEM、UVVis等方法对ITO纳米晶、ITO@WO3薄膜的结构
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室;
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采用溶剂热方法合成出不同Sn掺杂浓度的ITO纳米晶,并结合溶胶凝胶方法制备了ITO纳米晶镶嵌WO3电致变色薄膜。采用XRD、TEM、SEM、UVVis等方法对ITO纳米晶、ITO@WO3薄膜的结构与光学性能进行表征,采用CA、CV以及EIS等电化学方法对ITO@WO3的电致变色性能进行了测试。研究结果表明,不同掺杂浓度的ITO纳米晶粒径均为10nm左右,Sn掺杂浓度的增加可以提升ITO@WO3复合薄膜的电子输运能力。研究结果表明,当ITO颗粒与WO3前驱体的质量配比为1:10时,所得薄膜的电致变色着色效率最高,同时在633nm处保持有25%的光调制幅度（薄膜厚度约为80nm）。
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