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电性失效分析技术在集成电路芯片制造、良率提升与维持量产工艺稳定中扮演着举足轻重的作用。本文介绍了光子辐射显微技术(E删I)和光致阻变技术(0BIRCH)在电性测试和芯片故障定位中的原理与应用,并结合失效分析实例研究了典型方法对于芯片不同缺陷模式的适用性。
EMMI/OBIRCH在大规模集成电路芯片失效分析中的应用
【摘 要】
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电性失效分析技术在集成电路芯片制造、良率提升与维持量产工艺稳定中扮演着举足轻重的作用。本文介绍了光子辐射显微技术(E删I)和光致阻变技术(0BIRCH)在电性测试和芯片故障
【发表日期】
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2017年期
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