【摘 要】
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随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发
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随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发展。本文着重叙述了GaAs 单晶工艺技术现状,讨论了GaAs 熔体生长中传热、传质过程及对晶体残余应力和化学计量比的影响;同时还介绍了化合物半导体材料的完整性、均匀性和表面质量方面的研究进展;阐述了GaN 白光发光器件和异质结结构方面的研究现状;论及了晶片加工、热处理、表面和缺陷控制以及同步辐射X 射线和光弹法等检测方法与技术。最后,文章还展望了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在未来无线通讯和光电子产业中的应用前景。
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