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3～4Ghz单片集成压控衰减器

来源 :'98全国第七届MIC电路及工艺会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a67826766

【摘 要】

：

论述了一种GaAs MESFET单片集成压控衰减器的研制过程，包括参数设计，结构设计，工艺设计等。该衰减器主要指标为：频率3～4GHz，衰减量≥30dB，插损≤1.8dB，驻波≤1.9。

【作 者】

：

陈红莉 于玲莉 

【机 构】

：

工业部第十三研究所

【出 处】

：

'98全国第七届MIC电路及工艺会议

【发表日期】

：

1998年期

【关键词】

：

单片集成 压控衰减器 结构设计 工艺设计 参数设计 衰减量 驻波 指标 频率 

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论述了一种GaAs MESFET单片集成压控衰减器的研制过程，包括参数设计，结构设计，工艺设计等。该衰减器主要指标为：频率3～4GHz，衰减量≥30dB，插损≤1.8dB，驻波≤1.9。

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