【摘 要】
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忆阻器是有记忆功能的电阻器件,蔡少棠在1971年提出相关概念,Strukov在2008年用TiO2首次制成。忆阻器在存储和计算方面的优越性质使其受到大量关注,近年来出现了向二维材料发
【机 构】
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合肥微尺度物质科学国家实验室; 量子信息与量子科技前沿协同创新中心;
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忆阻器是有记忆功能的电阻器件,蔡少棠在1971年提出相关概念,Strukov在2008年用TiO2首次制成。忆阻器在存储和计算方面的优越性质使其受到大量关注,近年来出现了向二维材料发展的趋势,例如单层MoS2制成的忆阻器[1],相比于块状材料,其尺寸小、性质易于调控。MoS2忆阻器工作的基本原理是硫缺陷在材料内部形成狭窄的导电通道,但是目前在微观层面上对晶界和缺陷的迁移了解还不够深入。因此我们用第一性原理计算研究单层MoS2晶界和硫缺陷迁移的热力学和动力学性质及其对忆阻器性质的影响。
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