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本文提出了一种将铁氧体置于硅片及Y结环形电路上的环形器结构,该环形器结构的设计能更好地与集成电路的制造工艺兼容,适合用于将环形器与半导体基片相结合的单片微波集成电路系统中。经电磁仿真软件HFSS验证,以硅为基片,该环形器在12.34GHz时的插入损耗小于0.1dB,隔离度为49.96dB,具有良好的性能。