直接电解还原SiO2制备硅过程中B,P行为研究

来源 :2012年全国冶金物理化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kobe20060121
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  在CaCl2-CaO电解体系下,直接电解还原SiO2制备得到单质硅。利用能斯特方程计算得到,若要使电解还原产物硅中的杂质B,P浓度小于1ppmw,则电解质中B、P的最高极限浓度分别为1.8和3.1 ppmw。采用B,P浓度均小于1ppmw的石英砂为原料进行实验,制备得到的硅中B,P浓度分别为4.8,3.5 ppmw,电解质的纯度是导致硅中B,P浓度升高的主要原因。通过提高电解质的纯度,有望能进一步降低还原产物硅中的B,P浓度,最终获得低硼和低磷的高纯度硅产品。
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