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4H-SiC外延表面缺陷简介
4H-SiC外延表面缺陷简介
被引量 : 0次 | 上传用户:xiafe
【摘 要】
:
对4H-SiC外延表面缺陷的种类、形貌特征和形成机理进行了简要介绍。结合外延表面缺陷形成机理和实际外延生长经验,对不同种类表面缺陷的改善提出了一些建议和方案。希望通过
【作 者】
:
钱卫宁
冯淦
孙永强
李奕洋
李凯希
黄杰
陈志
【机 构】
:
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司;
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
4H-SiC
同质外延
外延缺陷
原子力显微镜
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对4H-SiC外延表面缺陷的种类、形貌特征和形成机理进行了简要介绍。结合外延表面缺陷形成机理和实际外延生长经验,对不同种类表面缺陷的改善提出了一些建议和方案。希望通过该介绍有利于增强人们对4H-SiC外延表面缺陷的认识和了解。
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