加工工艺对SiC单晶衬底面形参数的影响

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:younger666
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  采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛光处理,得到了SiC单晶衬底。
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