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加工工艺对SiC单晶衬底面形参数的影响

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：younger666

【摘 要】

：

　　采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛光处理，得到了SiC单晶衬底。

【作 者】

：

谢雪健 陈秀芳 彭燕 崔潆心 胡小波 徐现刚 

【机 构】

：

山东大学晶体材料研究所

【出 处】

：

第17届全国晶体生长与材料学术会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

加工工艺 SiC晶体 单晶 衬底 面形参数 物理气相传输法 双面研磨机 多线切割机 

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　　采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛光处理，得到了SiC单晶衬底。

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