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加工工艺对SiC单晶衬底面形参数的影响
加工工艺对SiC单晶衬底面形参数的影响
来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:younger666
【摘 要】
:
采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛光处理,得到了SiC单晶衬底。
【作 者】
:
谢雪健
陈秀芳
彭燕
崔潆心
胡小波
徐现刚
【机 构】
:
山东大学晶体材料研究所
【出 处】
:
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
加工工艺
SiC晶体
单晶
衬底
面形参数
物理气相传输法
双面研磨机
多线切割机
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采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛光处理,得到了SiC单晶衬底。
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