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现今的大规模太阳电池生产领域,P 型衬底占了绝大部分的市场份额,而N 型硅衬底由于其高少子寿命和无光致衰减越来越受关注.本论文以N 型的铝背发射极电池为基础,分析了P、N型刻蚀过程中的差异情况.在实验中发现,在相同情况下,P 型衬底和N 型衬底在经过磷扩散分别形成PN 结和N+前面场后,去除磷硅玻璃,进行硝酸/氢氟酸的单面刻蚀,N 型衬底的减薄质量平均比P 型的减薄质量高出0.05 g 左右；同时正表面由于气相腐蚀的原因,P 型衬底正面方块电阻升高大约10Ω/□,而N 型衬底正面的方块电阻将升高50Ω/□以上.根据实验现象可以得出,N 型衬底硅片在酸性环境下的刻蚀速率更快,本论文对其中的原因进行了分析.