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本研究以工业硅为原料，采用真空定向凝固工艺，研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的影响。结果表明：采用氮化硅涂层处理后，多晶硅铸锭中部少子寿命值由原来的0.85μs提高到1.91μs；顶部和底部的少子寿命值也明显提高，且与中部位置切片的少子寿命值相差不大；位错密度也由原来的5～40×104个／cm2降低到5～40×104个cm/cm2。