占空比对脉冲调制射频容性耦合氩气放电的影响

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脉冲调制的射频容性耦合放电在等离子体增强化学气相沉积等工业薄膜处理方面被广泛应用,因此近来受到许多关注。为了以进一步优化等离子体的物理性质,本文结合粒子模拟与蒙特卡罗碰撞模拟研究了脉冲调制占空比对高气压下脉冲调制的射频容性耦合放电的维持和等离子体的基本物理特性的影响,其中射频驱动频率范围为40 k Hz至4 MHz。我们可以发现,放电的维持由二次电子加热机制占主导,尤其是在低频驱动频率范围内(小于80 k Hz)。并且,与连续射频等离子体相比,脉冲调制射频放电可以在更大的驱动频率范围内稳定维持,而且如果占空比被适当地调制,就可以在低频射频范围内实现稳态放电,同时获得较高的电子密度和较低的电子温度,这在连续射频放电中是非常难以实现的。我们的模拟结果对脉冲调制的射频容性耦合放电进行了更加详细的解释,因此为相关实验研究和工业应用提供指导性建议。
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