【摘 要】
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采用中频磁控溅射离子镀技术制备了Al2O3薄膜,采用反应溅射控制器测定了不同氩分压与靶功率下的靶电压迟滞回线,采用X-射线衍射仪、扫描电镜、EDS能谱、俄歇电子能谱仪对不同
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采用中频磁控溅射离子镀技术制备了Al2O3薄膜,采用反应溅射控制器测定了不同氩分压与靶功率下的靶电压迟滞回线,采用X-射线衍射仪、扫描电镜、EDS能谱、俄歇电子能谱仪对不同电压控制点下制备的Al2O3薄膜的组织结构与化学组分进行了研究。结果表明,中频磁控溅射沉积Al2O3薄膜靶电压迟滞回线具有典型的反应溅射靶电压迟滞回线特性,在不同氩分压、靶功率下,靶电压的迟滞回线特性相似,都存在O2流量升高达到某一临界值时,溅射模式由金属态向化合物态的转变,靶电压出现快速下降的现象;当O2流量下降达到某一临界值时,溅射模式由化合物态向金属态转变,靶电压出现快速上升。靶电压控制点在25%～40%之间,均可以获得致密的主要以非晶态存在的Al2O3薄膜。
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