【摘 要】
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近年来,二硫化钼由于优异的物理、化学和光电性质吸引了人们广泛的注意。而如何制备高质量大尺寸的二硫化钼晶体仍是一个研究重点。因此,我们提出了一种新的锡助熔剂法生长二
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近年来,二硫化钼由于优异的物理、化学和光电性质吸引了人们广泛的注意。而如何制备高质量大尺寸的二硫化钼晶体仍是一个研究重点。因此,我们提出了一种新的锡助熔剂法生长二硫化钼单晶的方法,并且获得了尺寸为3 mm×5 mm的二硫化钼单晶。利用光学显微镜和原子力显微镜研究了其晶体生长机制,在晶体表面观察到的螺旋位错台阶表明二硫化钼在这个体系下遵循螺旋位错生长机制。我们利用液相超声的方法剥离了二硫化钼体块晶体,得到了大面积的3-4层的二硫化钼薄膜,并且利用二硫化钼薄膜作为激光调Q实验中的饱和吸收体,对1064 nm激光进行调制,得到的激光脉宽为326 ns.
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