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通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ<,c>=5~8×10<-3>Ω.cm<2>的欧姆接触和理想因子n=1.20~1.25的SiC肖特基二极管.与欧姆接触采用950℃高温合金制备的P型6H-SiC肖特基二极管(B类样品)比较表明,后者较大的串联电阻大大地影响其电学特性.