论文部分内容阅读
与 InP 衬底晶格常数相匹配的 In0.53Ga0.47As 材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率。通过对 InGaAs 探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及 InGaAs 芯片和 HgCdTe 芯片的性能测试、比较, 充分证明了 InGaAs 材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能 InGaAs 探测器的可行性。对 InGaAs 芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs 材料温度响应重复性较好。