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小型化无源元件内埋技术是实现系统集成封装（SIP）的重要手段。本文基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术，在传统平行板单π模型基础上，结合寄生效应和工艺参数，将LTCC 内埋置电容的引出端和通孔分别提取作为修正参数，建立一种适用于SIP内埋置电容的单π修正模型，通过优化仿真，该模型应用频率范围可以准确到7GHz，远超过电容的自谐振频率，具有简单实用，准确度高等优点，对LTCC 内埋置技术基础研究具有参考价值。