氧化型谷胱甘肽（GSSG）与还原型谷胱甘肽^[1]（GSH）在各组织细胞中会处于高比值平衡状态。当机体代谢紊乱或处于应激状态时,这种平衡就会被打乱,因此,测定组织细胞内的GSSG含量对于了解各种靶器官的氧化应激状态以及预防和治疗相关疾病均有非常重要的意义。本课题组制备了GSSG分子印迹电化学传感器,利用铁氰化物探针进行检测^[2],但其灵敏度不高,检出限为1.8×10^-9 mol/L。为了满足对痕量GSSG分析的要求,提高传感器的灵敏度,本文利用了电化学发光技术具有高灵敏度的优点,结合分子印迹技术,制备了一种分子印迹电化学发光传感器用于GSSG的检测。实验对传感器进行了循环伏安、交流阻抗、电化学发光等表征,对缓冲液的pH、鲁米诺与过氧化氢用量等实验条件进行了优化处理。实验结果表明,在最优条件下,该传感器具有线性范围宽、灵敏度高等优点,GSSG浓度范围在4×10^-12～8×10^-9 mol/L内,电化学发光信号变化值与浓度呈现良好的线性关系,检出限为1.77×10^-12mol/L（3δ_b/K）。与已报道的分子印迹电化学传感器相比,该法检出限大大降低。