【摘 要】
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碲化镉晶体是一种性能优异的室温半导体X射线γ射线探测器材料,在天文、医学、工业和军事等领域具有广泛的用途。但由于碲化镉晶体及其熔体的导热性差,堆垛缺陷能低,在生长过
【机 构】
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
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碲化镉晶体是一种性能优异的室温半导体X射线γ射线探测器材料,在天文、医学、工业和军事等领域具有广泛的用途。但由于碲化镉晶体及其熔体的导热性差,堆垛缺陷能低,在生长过程中易产生孪晶和多晶。同时在生长中熔体上方易形成较大压力的Cd蒸汽,引起Cd空位,故难以获得晶格完整性好的高电阻碲化镉单晶体。为使晶体达到探测器级别,通常采用引入C1或者In进行电荷补偿,提高碲化镉单晶体的电阻率。由于分凝系数不为一,随晶体生长元素分布不均,会导致晶体性质变化。在本次会议中,我们将介绍采用水平冷凝法生长的CdTe:In晶体,延生长方向In元素及相关杂质含量的分布,以及晶体红外透过率、电阻率、腐蚀坑浓度等单晶性质随h含量的变化关系。
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