IGZO(InGaZnO)氧化物靶材制备及研究进展

来源 :2013中国有色金属加工行业技术进步产业升级大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:accbacc
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平面液晶显示器件中,以铟镓锌氧化物作为半导体沟道层材料制备的IGZO氧化物TFY,相比硅基TFT面板,IGZO薄膜晶体管有着迁移率高、均一性好、透明、低温制备、工艺简单等优点,IGZO-ITFT驱动的LCD/OLED面板具有高精度、低功耗与高触控性能等诸多性能优势。基于PVD技术的高性能IGZO靶材是制备氧化物半导体薄膜的关键功能材料。本文介绍了制备IGZO靶材及其粉末制备与处理、靶材形制与成型烧结、靶材成分组成、靶材物相结构与性能,IGZO靶材制备研究现状及应用发展。
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