LPCVD原位掺杂多晶硅研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mqzhen1987
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利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验,结合膜的生成原理对实验结果进行了分析,并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅生长速率慢的原因进行了详细阐述,提出了一种利用本征多晶硅衬层提高原位掺杂多晶硅淀积速率的方法,速率提高约20﹪,结合模拟对这种方法进行了定量分析.最后探讨了LPCVD原位掺杂多晶硅工业生产的可行性问题.
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