厚度的精确控制以及界面有序性是高性能共轭聚合物薄膜电子器件中至关重要的要求,然而同时实现膜厚和分子高度有序排列的精确控制是有难度的。我们将共轭聚合物聚（3-己基噻吩）与绝缘聚合物共混旋涂并转移清洗去除PMMA,制备了不同厚度的超薄共轭聚合物膜。浓度影响超薄膜的厚度和堆积有序性,浓度从3.00 mg/ml改变至0.38 mg/ml,厚度从10.5 nm下降至1.9 nm。最薄的薄膜（1.9 nm）表现出最低的自由激子带宽58 me V,最小的π-π堆叠距离3.78?,最大的d-spacing增加至17.6?,迁移率0.03 cm² V^-1 s^-1,与此同时,在较高的厚度下,10.5 nm的薄膜迁移率达到0.20 cm² V^-1 s^-1。该方法制备的聚合物膜在电荷传输不论厚度,都体现出2D的载流子传输特性。薄膜的稳定性与载流子传输模型也表现出与厚度的明显联系。超薄膜场效应晶体管可以制备在柔性透明衬底上。