【摘 要】
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采用GaAs pHEMT工艺,研制了一款X波段收发多功能芯片.在一个芯片上集成了双平衡混频器、本振驱动放大器、低噪声放大器、射频开关等电路,能够分别实现接收下变频和发射上
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
【出 处】
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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会
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采用GaAs pHEMT工艺,研制了一款X波段收发多功能芯片.在一个芯片上集成了双平衡混频器、本振驱动放大器、低噪声放大器、射频开关等电路,能够分别实现接收下变频和发射上变频的功能.该芯片的面积仅为2.8×2.2mm2.在射频频率7～ 13GHz,本振频率7～17GHz,中频频率DC ～ 4GHz,本振输入功率-3dBm情况下,接收变频增益大于10dB,噪声系数小于3.5dB,输出P-1大于0dBm；发射变频增益大于11dB,输出P-1大于9dBm.
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