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高能离子束辅助沉积Ti膜的结构研究

来源 :2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：betterfo

【摘 要】

：

本文主要研究了表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si表面沉积的Ti薄膜结构的影响.

【作 者】

：

白彬 严东旭 张厚亮 梁红伟 

【机 构】

：

中国工程物理研究院(四川绵阳)

【出 处】

：

2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

离子束辅助沉积 表面预处理 离子能量 离子密度 工艺参数 等离子束 沉积时间 薄膜结构 表面沉积 温度 轰击 单晶 

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本文主要研究了表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si表面沉积的Ti薄膜结构的影响.

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