ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤机理研究

来源 :2014中国平板显示学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:longer9568
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本文研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤现象,借助SEM、XRD、EDS和XPS等方法对结瘤机理进行分析.结果表明,Sn02分解生成SnO或许是结瘤产生的内在原因.
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