【摘 要】
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TSV叠层式电子封装是今后三维封装重点发展的一种封装技术,其关键技术之一是TSV硅孔镀铜填充技术。本研究针对TSV硅孔镀铜用甲基磺酸铜高速镀液中Cl~-的作用及机理展开了系统
【基金项目】
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国家自然基金项目(青年基金):TSV硅通孔甲基磺酸镀铜高速填充机理研究,编号61006072
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TSV叠层式电子封装是今后三维封装重点发展的一种封装技术,其关键技术之一是TSV硅孔镀铜填充技术。本研究针对TSV硅孔镀铜用甲基磺酸铜高速镀液中Cl~-的作用及机理展开了系统研究。利用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl~-的作用效果,并采用阻抗谱和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl~-在电化学沉积中的影响机制和对Cu~+配位场的影响。研究结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl~-对铜沉积有明显的加速作用,而在表面非扩散控制区域,尤其是高电流区域,Cl~-具有一定的抑制效果。因此,Cl~-的存在将有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速度。
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