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通过变温和变功率光致发光谱(PL)对InP(100)基InAs/GaInAsP量子点材料的光学性质进行了相关表征,确认了每个发光峰的来源并发现浸润层GaInAsP发光随着温度的变化表现出非常奇特的温度特性.为了找出相关原因,通过不同大小InAs量子点之间的实验数据对比、发现这种特性主要来源于浸润层和InAs量子点发光之间的竞争.