【摘 要】
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锌黄锡矿铜锌锡硫硒（CZTSSe）太阳能电池,因带隙在1.0～1.5 eV内可调、组成元素丰度高且无毒等优势受到研究人员的广泛关注。由于CZTSSe太阳能电池Cu+与Zn2+离子半径相近,容易产生富集在吸收层表面的CuZn反位缺陷[1],从而引起CZTSSe/CdS界面处的非辐射复合与电荷传输损耗,导致CZTSSe太阳能电池产生较大的开路电压亏损(Voc, def, Voc,def=Eg/q-Vo
【出 处】
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第九届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会论文集
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锌黄锡矿铜锌锡硫硒（CZTSSe）太阳能电池,因带隙在1.0～1.5 eV内可调、组成元素丰度高且无毒等优势受到研究人员的广泛关注。由于CZTSSe太阳能电池Cu+与Zn2+离子半径相近,容易产生富集在吸收层表面的CuZn反位缺陷[1],从而引起CZTSSe/CdS界面处的非辐射复合与电荷传输损耗,导致CZTSSe太阳能电池产生较大的开路电压亏损(Voc, def, Voc,def=Eg/q-Voc),限制其效率提升[2]。在这个工作中,对CZTSSe/CdS异质结在真空状态下进行热退火,促使Cd2+向吸收层表面扩散,可以有效钝化CuZn反位缺陷。同时,在真空状态下还可限制氧气对吸收层的氧化。经过系统性地优化退火温度和退火时间,CZTSSe电池开路电压(Voc)从0.456 V提升至0.495V,光电转换效率（PCE）由8.20%提升到9.34%。综上所述,真空异质结退火可同时钝化CZTSSe/CdS界面和吸收层体相缺陷,从而降低Voc, def,有助于提高CZTSSe电池器件性能。
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