【摘 要】
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本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上依次生长宽带隙半导体n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层、n+GaN发射极层,实现了一种n+/i/n+光导型单片集成紫外红外双色
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本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上依次生长宽带隙半导体n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层、n+GaN发射极层,实现了一种n+/i/n+光导型单片集成紫外红外双色探测器,适用于单元和焦平面红外/紫外双色探测器。利用AlxGa1-xN势垒层中电子从价带跃迁到导带完成紫外探测,GaN/AlGaN异质结间电子的势垒跃迁完成红外探测,两者结合达到了红外传感器和紫外传感器优势互补,拓展了响应光谱的范围。设计并制作了紫外红外双色集成探测器测试单元器件,并对该单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试与分析。
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