【摘 要】
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为了制备新型的高纯碳化硅耐火材料,将无压烧结碳化硅陶瓷制备工艺用于制备碳化硅耐火材料:在SiC粗颗粒、中颗粒、细颗粒、细粉质量分数分别为15%、35%、15%、35%的碳化硅耐
【机 构】
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中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室;
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为了制备新型的高纯碳化硅耐火材料,将无压烧结碳化硅陶瓷制备工艺用于制备碳化硅耐火材料:在SiC粗颗粒、中颗粒、细颗粒、细粉质量分数分别为15%、35%、15%、35%的碳化硅耐火材料基础配方中,分别以5%、10%、15%、20%、25%、30%的SiC亚微粉与Al-B4C-C系助烧剂的预混粉（SiC亚微粉与Al-B4C-C系助烧剂的质量比为94:6）等量取代基础配方中的SiC细粉,机压成型后在1 900℃氩气保护条件下进行无压烧结,然后检测试样的显气孔率、体积密度、常温抗折强度、抗热震性和抗氧化性。结果表明:随着SiC亚微粉与AlB4C-C系助烧剂总加入量（w）从5%增加到30%,试样的致密度、常温抗折强度、1 100℃风冷热震4次后常温抗折强度、抗高温水蒸气氧化性均呈先增大后减小的变化趋势,并且均在亚微粉与Al-B4C-C系助烧剂总加入量为10%（w）时达到最大值。
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