使用CGSim晶体生长模拟软件对不同形状的坩埚(方形、方漏斗形、倒方漏斗形)内的铸锭多晶硅晶体生长进行了温度场及流场的数值模拟。对比研究了坩埚形状对晶体内温场和熔体内流场的影响,分析了不同时刻固液界面形状及晶体位错密度的大小。模拟结果表明:这三种坩埚形状生长晶体时其温场相差不大,径向温度梯度几乎为零,轴向温度梯度比较稳定,固液界面前沿的等温线和固液界面平行,固液界面几乎都是中间微凸边缘上翘,方漏斗形坩埚内固液界面边缘上翘程度相对较大,倒方漏斗形坩埚内固液界面边缘上翘程度较小;在晶体生长初期三种形状的坩埚内熔体都有两个流动方向相反的涡流,随着晶体的生长上方的涡流逐渐减小,最后消失,方漏斗形内的熔体流动强度相对较大,这使得晶体中排出的杂质会迅速扩散到熔体中,生长的晶体质量较高;方漏斗形生长晶体时更容易释放热应力,位错密度较小。