基于La掺杂SnO2缓冲层的高效Sb2Se3薄膜电池的研究

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硒化锑(Sb2Se3)具有物相单一稳定,合适的禁带宽度,吸收系数高,组成元素地壳丰富度高等优点,是一种很有潜力的无机化合物薄膜太阳电池的光吸收层材料。目前CdS薄膜是Sb2Se3薄膜电池最常用的缓冲层材料,但是由于其有毒性所以我们选用无毒的,宽带隙并且传输电子能力强的SnO2薄膜作为缓冲层。然而SnO2/Sb2Se3薄膜太阳电池的效率受到SnO2薄膜的结晶度和表面粗糙度的限制。因此我们采用低温溶液法将La掺杂到SnO2的晶格当中,并且研究不同的La掺杂量对SnO2薄膜的结晶性和表面粗糙度的影响。研究结果表明:随着掺杂量的增加,有利于改善SnO2薄膜的结晶性和表面粗糙度,并在La浓度为0.001M时效果达到最佳,因此,基于FTO/La:SnO2/Sb2Se3/Au结构的Sb2Se3薄膜电池的光电转换效率由2.47%提升至3.25%。
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