【摘 要】
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本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅（a-Si:H）电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜（TEM）分析表明,这种P层是复相结构材料,由尺寸3-5nm的纳米晶粒镶嵌于非晶硅
【机 构】
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中科院半导体所; Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606 USA;
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本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅（a-Si:H）电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜（TEM）分析表明,这种P层是复相结构材料,由尺寸3-5nm的纳米晶粒镶嵌于非晶硅网络中构成。光学透视测量表明,由于量子尺寸效应,纳米硅P层具有宽的能带隙（1.96eV）。利用这种P层,n-1-p a-Si:H太阳能电池的性能得到改善,其Voc达到1.042 V,而利用微晶硅P层,在其它制备条件不变的情况下,a-Si:H太阳能电池的Voc只有0.526 V。
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