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本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在c面蓝宝石衬底上生长AlxGa1-xN(x=0～0.32)外延层,并利用金相显微镜,X射线衍射仪(XRD)和荧光光谱仪系统地分析了AlxGa1-xN外延层的晶体质量和光致发光(PL)机理.实验结果表明：适当厚度(200 nm)的HT-AlN缓冲层对高质量AlGaN薄膜外延生长起到了很好的促进作用；AlGaN薄膜的PL主峰源于带边发光,黄带发光主要是由于Ga空位导致的深受主能级与O形成的浅施主能级辐射复合导致.此外,AlGaN薄膜样品的带边发射峰随温度升高从312～317 nm呈现"S"形变化趋势.