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采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111)织构;同时,50nm厚的Ta阻挡层能够有效阻止Cu原子向Si体内的扩散.
Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究
【摘 要】
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采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111)织构;同时,50nm厚的Ta阻
【机 构】
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中国人民武装警察部队学院基础部,河北廊坊,065000北京工业大学同体微结构与性能研究所,北京,100022北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022中国科学院微电子中心,北京,10002
【出 处】
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中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年会
【发表日期】
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2008年8期
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