SOI CMOS工艺射频开关设计关键问题研究

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本文通过对目前SOI工艺射频开关设计的介绍引出了两种新的开关设计技术。分别为通过BEOL优化来降低通道Coff参数和利用正压偏置解决电荷泵负压偏置带来的栅极调制和高功耗问题,并给出了两种技术的优缺点以及对于未来SOI射频开关设计技术发展方向的总结与展望。
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