【摘 要】
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硫化锑（Sb2S3）是一种价格低廉、环境友好、物相单一的半导体光电材料,带隙为1.73 eV,吸光系数达105 cm-1,其薄膜太阳能电池具有巨大的应用潜力。同时,在叠层结构中,Sb2S3的带隙
【机 构】
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福州大学物理与信息工程学院微纳米器件与太阳能电池研究所;
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硫化锑（Sb2S3）是一种价格低廉、环境友好、物相单一的半导体光电材料,带隙为1.73 eV,吸光系数达105 cm-1,其薄膜太阳能电池具有巨大的应用潜力。同时,在叠层结构中,Sb2S3的带隙与硅电池完美匹配,有利于促进下一代硅电池的发展。探究材料的本质特性,提升器件性能是发展的主要方向。[1] Sb2S3晶体结构中存在两类Sb原子和三类S原子,类型都不相同,缺陷状态复杂多样。改善吸收层的缺陷态对性能尤为重要。我们采用快速热蒸发法在低温条件下制备出非晶超薄的Sb2S3薄膜,保证真空环境的Sb和S的化学计量比,减少S空位缺陷。然后采用密闭空间的S气氛快速退火方式,使得非晶薄膜在同一条件下迅速变为结晶态,降低了晶界缺陷和体内深缺陷,达到提升器件性能的目的。最终Sb2S3电池器件的光电转化效率提升至5%以上,体缺陷浓度大幅减小。
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