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静电损伤和过电应力损伤的比较
静电损伤和过电应力损伤的比较
来源 :中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chans413
【摘 要】
:
本文对集成电路静电损伤(人体模型)和过电应力损伤进行了研究,从I-V特性测试、带钝化层芯片表面扫描电镜观察及芯片表面剥层后的扫描电镜观察三个方面,分析比较出过电应力损伤和静电损伤的区别,在给集成电路下失效分析结论时有重要的参考意义.
【作 者】
:
李兴鸿
赵春荣
王勇
【机 构】
:
北京微电子技术研究所(北京)
【出 处】
:
中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会
【发表日期】
:
2002年12期
【关键词】
:
集成电路
静电损伤
过电应力损伤
扫描电镜
失效分析
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本文对集成电路静电损伤(人体模型)和过电应力损伤进行了研究,从I-V特性测试、带钝化层芯片表面扫描电镜观察及芯片表面剥层后的扫描电镜观察三个方面,分析比较出过电应力损伤和静电损伤的区别,在给集成电路下失效分析结论时有重要的参考意义.
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