基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源

来源 :全国第五届核仪器及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chyo

【摘要】

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本文介绍了利用功率MOS型场效应管的开关原理,研究出了对功率MOS型场效应管的栅极过驱动技术,以此来提高功率MOS型场效应管的开关速度,从而做成输出脉冲幅度大于4kV,前沿小于10ns,脉冲宽度大于100ns的高压快脉冲驱动源.

【作者】

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【机构】

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中国工程物理研究院电子工程研究所,四川,绵阳,919信箱521分箱,621900

【出处】

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全国第五届核仪器及其应用学术会议

【发表日期】

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2005年7期

【关键词】

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