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AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究
AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究
来源 :第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoxiaohaizi319
【摘 要】
:
AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.
【作 者】
:
刘斌
张荣
谢自力
修向前
陈鹏
陆海
韩平
郑有炓
【机 构】
:
南京微结构国家实验室(筹),江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系
【出 处】
:
第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)
【发表日期】
:
2009年10期
【关键词】
:
AIGaN薄膜
MOCVD生长
P型掺杂
LED结构
半导体照明
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AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.
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