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采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通态电压V<,TM>和关断时间t<,q>的折衷关系进行了研究,确定了最佳的质子辐照能量,4.7MeV的质子辐照峰值缺陷位于快速晶闸管的N基区中间,可获得最佳的通态电压和关断时间的折衷.