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本文系统地综述了PMOS金属栅/高k有效功函数调制方法，分析了A1掺杂调制PMOS金属栅/高k有效功函数的机制，并基于能带对准分析，利用电化学势平衡以及静电势的方法，定量计算了A1掺杂导致的高kISiO：界面偶极子的大小及其与有效功函数调制的关系。结果表明，高k/Si02界面偶极子场在金属栅极与高k介质界面层上产生的静电势差引起了真空能级的不连续，从而导致界面势垒及有效功函数的调制。计算结果与实验数据相吻合，由此为未来pMOS有效功函数调制提供了理论途径。