高折射率对晶体硅太阳能电池电性能的影响

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xll526
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因氮化硅良好的化学和电学性能,将氮化硅作为减反射和钝化膜已经广泛的应用于晶体硅太阳电池的工业化生产。本文以目前常规的工业化高效电池工艺为基础,考察了高折射率对晶硅太阳能电池主要电性能参数的影响。实验表明当折射率提高到2.18(膜厚为77nm)时,电池的转换效率比正常工艺低了0.56%,电性能良率比正常工艺低了28.62%。主要是Rsh失效比例急剧上升到28.50%,这种失效模式为我们在制造过程中查找失效原因又提供了一个新的方向。
其他文献
本文阐述了在常规生产设备条件下,通过工艺匹配优化,将电池转换效率提高0.3个百分点。具体方案是:用浅结扩散的方法在p型硅基衬底材料表面进行低浓度的磷掺杂;改良正表面电极图案,增加光生载流子收集;为匹配高方阻,调整公司自制银浆配比,采用高温快速烧结工艺,获得良好的欧姆接触。
目前选择性发射电池已经成为晶体硅电池研究的方向之一,并逐渐应用于大规模生产。因此如何优化SE电池制造工艺、降低生产成本也成为研究的热门。本文着重阐述丝网印刷制作单晶低成本高效SE电池的工艺,即通过SiO2掩膜→丝网印刷刻蚀浆料→扩散形成选择性发射电池,并实验验证了优化金属化工艺后,批量生产平均效率比常规工艺提高近1%。