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硼、磷共扩散方法是制作硅背电场(BSF)太阳电池的有希望的降低成本方法.共扩散方法本身也有很多值得研究的地方.本文叙述了我们用硼、磷共扩散法制备硅背电场太阳电池的研究结果.薄层电阻的测试结果表明,共扩散法可以在硅片的上表面和下表面同时形成均匀、稳定的扩散层(发散极和背电场区),其扩散浓度和深度可用控制扩散时间和温度的办法来控制,利用这种共扩散技术我们制得光电转换效率为12.2℅(AMI)的电池.对扩散后的硅片进行了子寿命测量的结果,表明硅片背面的硼扩散层在扩散过程中能吸收硅片内部的重金属杂质,改善PN结特性.