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<正>复合改性是提高二氧化钛在可见光下的光催化效率的重要途径之一。两种不同的半导体复合在一起,可以使电荷分离增加,提高界面电荷转移到基板的效率,同时可以扩展光激发的能量范围。AZO和TiO2同属N型半导体,但禁带宽度分别在3.5和3.2eV左右,不同能级的半导体间的复合很可能会造成能带弯曲形成异质结,从而增加光生电荷的