前驱体与电子传输层对硫化锑薄膜太阳能电池光伏性能的影响规律

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硫化锑(Sb2S3)是一种带隙1.5-1.7 e V的直接带隙半导体,环境友好、成本低廉且稳定,是潜在高性能太阳能电池材料。当前硫化锑薄膜太阳能电池仍面临Voc和PCE低的问题,主要与电子提取能力低和深能级缺陷有关。本项目利用单源热蒸发法Sb2S3粉体制备薄膜,通过锂盐掺杂Ti O2提高电子传输层对硫化锑吸收层的电子提取性能,使得基于多孔Ti O2的硫化锑薄膜太阳能电池的光电转化效率从1.7%提升到了4.42%;同时利用前驱体调控硫化锑薄膜的缺陷态,蒸镀富硫的五硫化二锑制备硫化锑薄膜,有效抑制深能级硫缺陷的形成,在平板结构的硫化锑太阳能电池中获得了3.75%的效率,且制备的器件具有较好的重复性,为探明其光电性能演变作用机理,制备低成本、高效稳定的硫化锑薄膜太阳电池提供了可能。
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