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本文报道了在SiO2基底上部分自组装一层致密的十八烷基三氯硅烷单分子膜(OTS-SAMs)作为钝化层实现选择性原子层沉积氧化锌.为了制备致密结构的十八烷基三氯硅烷单分子膜,研究了自组装条件对单分子膜致密性的影响.采用AFM、SE、WCA表征在环境温度25℃,无水甲苯为溶剂,浓度为10mM.浸泡时间为12h得到的OTS-SAMs较为致密.结果为OTS-SAMs接触角为110°,表面粗糙度(Rq)为0.1nm,覆盖率超过99％单分子膜.致密的十八烷基三氯硅烷单分子膜能很好的阻挡原子层沉积(ALD)氧化锌.