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成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为300rad(Si)/s，辐照总剂量为3.2×106rad(Si)。辐照前后测量器件直流特性表明，辐照后器件饱和电流变化量为3.9％，央断电压变化量为0.6％，n值变化量为3.2％，栅漏泄漏电流基本不变。