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利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。
940nm高功率列阵半导体激光器
【摘 要】
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利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分
【机 构】
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吉林大学电子工程系,长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2000年10期
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